Prospetti tal-Ġejjieni tal-Boron Nitride

Minħabba l-ebusija għolja tal-materjali ta 'l-azzar, ħafna sħana hija ġġenerata waqt l-ipproċessar. L-għodda tad-djamanti hija faċli biex tiddekomponi f'temperaturi għoljin u tirreaġixxi faċilment ma 'metalli ta' transizzjoni. Il-materjali C-BN għandhom stabbiltà termali tajba u mhumiex faċli biex jirreaġixxu ma 'metalli jew ligi tal-grupp tal-ħadid. Reazzjoni, tista 'tintuża ħafna fl-ipproċessar ta' preċiżjoni, tħin, eċċ ta 'prodotti ta' l-azzar. Minbarra reżistenza eċċellenti għall-ilbies, c-BN għandu wkoll reżistenza tas-sħana eċċellenti. Jista 'wkoll jaqta' azzar reżistenti għas-sħana, ferroalloy, azzar imwebbes, eċċ., U jista 'jaqta' rollijiet imkessħa ta 'ebusija għolja u jinfiltra f'temperaturi ta' qtugħ relattivament għoljin. Materjal għat-tkessiħ tal-karbonju u liga Si-A1 li hija serja ħafna għall-ilbies tal-għodda. Fil-fatt, għodod tal-qtugħ u għodod li joborxu magħmula minn korp sinterizzat ta 'kristall c-BN (sintetizzati f'temperatura għolja u pressjoni għolja) intużaw f'makkinar ta' preċiżjoni b'veloċità għolja ta 'diversi materjali tal-karbur kkonsolidati.

Bħala materjal semikonduttur ta 'spazju wiesa' (band gap 6.4 eV), C-BN għandu konduttività termali għolja, reżistività għolja, mobilità għolja, kostanti dielettriċi baxxi, kamp elettriku ta 'tqassim għoli, u jista' jirrealizza doping tat-tip doppju u Għandu stabbiltà tajba. Flimkien mad-djamant, SiC u GaN, huwa msejjaħ il-materjal semikonduttur tat-tielet ġenerazzjoni wara Si, Ge u GaAs. Il-karatteristika komuni tagħhom hija distakk ta 'medda wiesgħa, li hija adattata biex tagħmel l-elettroni użati f'kundizzjonijiet estremi. Apparat. Tabella 10.6 tagħti paragun tal-proprjetajiet varji tagħhom. Mhuwiex diffiċli li ssib li meta mqabbla mas-SiC u GaN, C-BN u djamant għandhom proprjetajiet aktar eċċellenti, bħal firxa usa 'tal-medda, mobbiltà ogħla, u aktar Qasam elettriku ta' tqassim Għoli, kostanti dielettrika aktar baxxa u konduttività termali ogħla. Ovvjament bħala materjali elettroniċi estremi, C-BN u djamant huma aħjar. Madankollu, bħala materjal semikonduttur, id-djamant għandu d-dgħjufija fatali tiegħu, jiġifieri, id-doping tat-tip n tad-djamant huwa diffiċli ħafna (ir-reżistività tad-doping tat-tip n tista 'tilħaq biss 102 Ω · cm, li hija' l bogħod mill-istandard tal-apparat) , filwaqt li c-BN huwa Jista 'jikseb doping tat-tip doppju. Pereżempju, fil-proċess ta 'sinteżi ta' temperatura għolja u pressjoni għolja u preparazzjoni ta 'film irqiq, iż-żieda ta' Be tista 'tikseb semikonduttur tat-tip p; iż-żieda ta 'S, C, Si, eċċ. tista' tikseb semikonduttur tat-tip n. Għalhekk, b'mod ġenerali, c-BN huwa l-materjal semikonduttur tat-tielet ġenerazzjoni bl-iktar prestazzjoni eċċellenti. Ma jistax jintuża biss biex jipprepara apparat elettroniku li jaħdem taħt kundizzjonijiet estremi bħal temperatura għolja, frekwenza għolja, u qawwa għolja, iżda għandu wkoll vantaġġi f'luminixxenza ultravjola profonda u ditekters. Prospetti ta 'applikazzjoni wiesgħa. Fil-fatt, Mishima et al. l-ewwel irrapporta li d-dijodi li jarmu d-dawl c-BN magħmula taħt kondizzjonijiet ta 'temperatura għolja u ta' pressjoni għolja jistgħu jaħdmu f'temperatura ta '650 ° C. Taħt preġudizzju 'l quddiem, id-dijodu jarmi dawl blu viżibbli għall-għajn, u kejl spettrali juru li huwa l-iqsar. Il-wavelength huwa 215 nm (5.8 eV). C-BN għandu koeffiċjent ta 'espansjoni termika simili għal GaAs u Si, konduttività termali għolja u kostanti dielettrika baxxa, prestazzjoni tajba ta' insulazzjoni, u stabbiltà kimika tajba, li jagħmilha materjal tas-sink tas-sħana u kisi iżolanti għal ċirkwiti integrati. Barra minn hekk, C-BN għandu affinità elettronika negattiva, jista 'jintuża bħala materjal ta' emissjoni ta 'kamp ta' katodu kiesaħ, u għandu firxa wiesgħa ta 'prospetti ta' applikazzjoni fil-qasam ta 'wirjiet ta' panew ċatt ta 'żona kbira.

F'termini ta 'applikazzjonijiet ottiċi, minħabba l-ebusija għolja tal-film c-BN u t-trasmittanza għolja fil-medda kollha tal-wavelength mill-ultravjola (bejn wieħed u ieħor tibda minn 200 nm) għal infra-aħmar imbiegħed, huwa adattat bħala kisi tal-wiċċ għal xi komponenti ottiċi, speċjalment bħala Kisi ta 'materjali tat-twieqi bħal selenid taż-żingu (ZnSe) u sulfid taż-żingu (ZnS). Barra minn hekk, għandu reżistenza tajba għal xokk termali u ebusija kummerċjali, u huwa mistenni li jsir materjal ideali għat-tieqa għal lasers u ditekters ta 'qawwa għolja.